随机磁性器件报告

报告从性能证据、研究缺口和系统挑战三个方面比较七类磁性器件，涵盖从 sMTJ 到 p-bit 的技术。

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重构磁性计算综述

跨层重构磁性器件物理、概率位、算法与基准证据之间的关联，避免混淆实验与仿真。

编写一份对来源进行严格审查的磁性概率计算技术报告，涵盖随机 MTJ、自旋转矩和自旋霍尔振荡器、SOT 器件、磁性伊辛机、畴壁器件、斯格明子和 p-bit。说明器件物理、热驱动或外部驱动的随机性、概率调节、读写电路、耦合方式，以及物理状态如何实现采样、贝叶斯推断、优化或神经形态工作负载。

区分已制备器件测量、电路或 FPGA 演示、微磁或宏自旋仿真、解析估算和拟议架构。针对每项结果，记录器件堆叠与几何结构、温度、偏置和脉冲条件、阵列规模、CMOS 接口、随机性和相关性测试、耐久性、良率或变异性，以及工作负载定义。统一每次样本或有效操作的能耗、吞吐量或每秒样本数、延迟、面积、准确率或解的质量；如有数据，还应纳入外围电路、通信、校准和主机计算开销。

交付物包括物理到算法映射、证据等级表、p-bit 传递函数对比、器件与系统基准矩阵、特定工作负载结果、扩展性与变异性分析，以及未解决问题清单。标注不兼容的分母，区分本征开关能耗与插座端系统能耗，避免将仿真结果外推至硅实现，并为每项最先进水平声明注明日期。

聚焦 p-bit 物理

仅调整器件维度，聚焦可调随机传递函数与随机性质量。

体验深度研究

编写一份对来源进行严格审查的磁性概率计算技术报告，涵盖随机 MTJ、自旋转矩和自旋霍尔振荡器、SOT 器件、磁性伊辛机、畴壁器件、斯格明子和 p-bit。 说明器件物理、热驱动或外部驱动的随机性、概率调节、读写电路、耦合方式，以及物理状态如何实现采样、贝叶斯推断、优化或神经形态工作负载。

区分已制备器件测量、电路或 FPGA 演示、微磁或宏自旋仿真、解析估算和拟议架构。针对每项结果，记录器件堆叠与几何结构、温度、偏置和脉冲条件、阵列规模、CMOS 接口、随机性和相关性测试、耐久性、良率或变异性，以及工作负载定义。统一每次样本或有效操作的能耗、吞吐量或每秒样本数、延迟、面积、准确率或解的质量；如有数据，还应纳入外围电路、通信、校准和主机计算开销。

交付物包括物理到算法映射、证据等级表、p-bit 传递函数对比、器件与系统基准矩阵、特定工作负载结果、扩展性与变异性分析，以及未解决问题清单。标注不兼容的分母，区分本征开关能耗与插座端系统能耗，避免将仿真结果外推至硅实现，并为每项最先进水平声明注明日期。

聚焦算法映射

仅调整证据维度，聚焦器件网络如何实现定义明确的采样和伊辛工作负载。

体验深度研究

编写一份对来源进行严格审查的磁性概率计算技术报告，涵盖随机 MTJ、自旋转矩和自旋霍尔振荡器、SOT 器件、磁性伊辛机、畴壁器件、斯格明子和 p-bit。说明器件物理、热驱动或外部驱动的随机性、概率调节、读写电路、耦合方式，以及物理状态如何实现采样、贝叶斯推断、优化或神经形态工作负载。

区分已制备器件测量、电路或 FPGA 演示、微磁或宏自旋仿真、解析估算和拟议架构。 针对每项结果，记录器件堆叠与几何结构、温度、偏置和脉冲条件、阵列规模、CMOS 接口、随机性和相关性测试、耐久性、良率或变异性，以及工作负载定义。 统一每次样本或有效操作的能耗、吞吐量或每秒样本数、延迟、面积、准确率或解的质量；如有数据，还应纳入外围电路、通信、校准和主机计算开销。

交付物包括物理到算法映射、证据等级表、p-bit 传递函数对比、器件与系统基准矩阵、特定工作负载结果、扩展性与变异性分析，以及未解决问题清单。标注不兼容的分母，区分本征开关能耗与插座端系统能耗，避免将仿真结果外推至硅实现，并为每项最先进水平声明注明日期。

审查能耗与吞吐量

仅调整指标维度，聚焦分母一致的系统基准测试。

体验深度研究

编写一份对来源进行严格审查的磁性概率计算技术报告，涵盖随机 MTJ、自旋转矩和自旋霍尔振荡器、SOT 器件、磁性伊辛机、畴壁器件、斯格明子和 p-bit。说明器件物理、热驱动或外部驱动的随机性、概率调节、读写电路、耦合方式，以及物理状态如何实现采样、贝叶斯推断、优化或神经形态工作负载。

区分已制备器件测量、电路或 FPGA 演示、微磁或宏自旋仿真、解析估算和拟议架构。针对每项结果，记录器件堆叠与几何结构、温度、偏置和脉冲条件、阵列规模、CMOS 接口、随机性和相关性测试、耐久性、良率或变异性，以及工作负载定义。 统一每次样本或有效操作的能耗、吞吐量或每秒样本数、延迟、面积、准确率或解的质量；如有数据，还应纳入外围电路、通信、校准和主机计算开销。

交付物包括物理到算法映射、证据等级表、p-bit 传递函数对比、器件与系统基准矩阵、特定工作负载结果、扩展性与变异性分析，以及未解决问题清单。标注不兼容的分母，区分本征开关能耗与插座端系统能耗，避免将仿真结果外推至硅实现，并为每项最先进水平声明注明日期。